خرید و دانلود نسخه کامل کتاب On time-of-flight ion energy deposition into a metal target by high-intensity pulsed ion beam generated in bipolar-pulse mode

آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم. توضیحاتی در مورد کتاب الزیور فناوری سطح و پوشش‌ها xxx (2011) xxx–xxx رسوب انرژی پرتو یون پالسی با شدت بالا (HIPIB) به یک هدف تیتانیومی در دستگاه TEMP-6 حالت دوقطبی پالس با استفاده از یک میدان خود مغناطیسی مورد مطالعه قرار گرفت. دیود یونی با عایق مغناطیسی (MID)، که در آن پلاسمای آند از قبل با یک ولتاژ منفی تولید شد و سپس یون های کربن مخلوط و پرتو پروتون در مرحله مثبت پالس دوقطبی استخراج شد. با توجه به زمان پرواز (TOF) یون‌ها، C+ که به هدف در 14 سانتی‌متر پایین دست از MID می‌رسد، 55 نانوثانیه نسبت به H+ در اوج ولتاژ شتاب 250 کیلو ولت به تأخیر افتاده و طیف انرژی یونی بسیار متفاوت است. با نمایه گاوسی در خروجی MID و رسیدن با توزیع پیچیده چند انرژی. رسوب انرژی یونی TOF HIPIB نشان داد که رسوب انرژی ابتدا در عمق عمیق‌تری که توسط H+ تحویل داده می‌شود و سپس به سمت لایه بالایی تحت سلطه C+ حرکت کرد. مشخص شد که سهم H + در رسوب انرژی در ترکیب پرتو 70٪ C + و 30٪ H + ناچیز است. در نتیجه، گرادیان پروفایل رسوب انرژی در هدف با رسوب C+ در کل پالس منفی است. این ویژگی منحصربه‌فرد رسوب انرژی HIPIB می‌تواند منجر به اثرات حرارتی و دینامیکی متفاوتی در مقایسه با مطالعات قبلی بر روی HIPIB، پرتوهای الکترونی یا لیزری H+- فراوان شود، به‌ویژه محدود کردن گرمایش زیرسطحی که به‌عنوان عامل اصلی بیرون‌ریزی قطرات و دهانه‌های سطحی و موج‌شدن در نظر گرفته می‌شود. تشکیل.