خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Iron distribution in the implanted silicon under the action of high-power pulsed ion and laser beams

آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم. توضیحاتی در مورد کتاب الزیور ابزار و روش‌های هسته‌ای در تحقیقات فیزیک B 240 (2005) 224-228 نتایج بررسی ترکیب فاز، ریزساختار و توزیع عمق ناخالص در لایه‌های سیلیکونی کاشته‌شده با یون‌های آهن و بازپخت با یون پالسی و پرتوهای لیزر داده شده. داده های پراش اشعه ایکس انتقال فاز FeSi→β-FeSi2 را با افزایش چگالی انرژی پالس نشان می دهد. پس از کاشت یون و درمان های پالسی، لایه های سیلیکون دارای ساختار سلولی مرتبط با حلالیت کم آهن در سیلیکون هستند. بسته به غلظت اتمی آهن، یا جدا شدن ماده ناخالص به سطح یا انتشار به سیلیکون صورت می گیرد. این وابستگی با انتشار سریع آهن در سیلیکون مایع و افزایش ضریب توزیع ناخالص هنگام افزایش غلظت ناخالص توضیح داده می شود. نتایج شبیه‌سازی کامپیوتری به خوبی با داده‌های تجربی در مورد توزیع عمق آهن مطابقت دارد و ضریب تفکیک نزدیک به 1 را در بالاترین غلظت ناخالصی می‌دهد.