دانلود کتاب III-Nitride Semiconductors: Electrical, Structural and Defects Properties

پیشرفت‌های تحقیقاتی در مواد و دستگاه نیمه‌رسانای III-نیترید منجر به افزایش تصاعدی در فعالیت‌ها به سمت کاربردهای الکترونیکی و نوری شده است. همچنین علاقه علمی زیادی به این دسته از مواد وجود دارد زیرا به نظر می رسد که آنها اولین سیستم نیمه هادی را تشکیل می دهند که در آن عیوب گسترده تأثیر شدیدی بر خواص نوری دستگاه ها نمی گذارد. این جلد شامل فصول نوشته شده توسط تعدادی از محققین برجسته در زمینه مواد نیترید و فناوری دستگاه با تاکید بر ترکیب مواد ناخالص، شناسایی ناخالصی ها، مهندسی نقص، مشخصه یابی نقص، کاشت یون، نقص های ناشی از تابش، تنش پسماند، نقص ساختاری و فونون است. حصر این جلد منحصر به فرد یک بررسی جامع و معرفی عیوب و خواص ساختاری GaN و ترکیبات مربوط به آن را برای تازه واردان به این حوزه و محرکی برای پیشرفت بیشتر برای محققان با تجربه ارائه می دهد. با توجه به سطح فعلی علاقه و فعالیت های تحقیقاتی معطوف به مواد و دستگاه های نیترید، انتشار جلد به ویژه به موقع است. کارهای پیشگامانه اولیه توسط Pankove و همکارانش در دهه 1970 یک دیود ساطع نور GaN نیمه هادی عایق فلزی (LED) را به وجود آورد، اما دشواری تولید GaN نوع p مانع از تلاش بیشتر شد. سطح فعلی فعالیت در نیمه هادی های نیترید عمدتاً از نتایج آکاساکی و همکاران و ناکامورا و همکارانش در اواخر دهه 1980 و اوایل دهه 1990 در توسعه دوپینگ نوع p در GaN و نشان دادن نیترید الهام گرفته شده است. LED های مبتنی بر طول موج های مرئی این پیشرفت ها با ساخت موفقیت آمیز و تجاری سازی دیودهای لیزر آبی نیترید توسط Nakamura و همکاران در Nichia دنبال شد. فصل‌های موجود در این جلد، نمونه‌ای از طیف وسیعی از تحقیقات در مورد مواد نیمه‌رسانای نیترید و مسائل مربوط به نقص است که در حال حاضر در آزمایشگاه‌های دانشگاهی، دولتی و صنعتی در سراسر جهان دنبال می‌شوند.