خرید و دانلود نسخه کامل کتاب ESD: Failure Mechanisms and Models

آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم. توضیحاتی در مورد کتاب مکانیسم‌های خرابی تخلیه الکترواستاتیک (ESD) همچنان بر اجزای نیمه‌رسانا و سیستم‌ها تأثیر می‌گذارد، زیرا فناوری‌ها از میکرو تا نانو الکترونیک مقیاس می‌شوند. این کتاب استرس بیش از حد الکتریکی، ESD، و اتصال را از روی یک تحلیل شکست و رویکرد مطالعه موردی مورد مطالعه قرار می‌دهد. این بینش روشنی از فیزیک خرابی از منظر کلی ارائه می دهد و به دنبال آن مکانیسم های خرابی در فناوری ها، مدارها و سیستم های خاص بررسی می شود. این کتاب از نظر پوشش مکانیزم خرابی و راه‌حل‌های عملی برای رفع مشکل از طریق یک روش فناوری یا مدار منحصربه‌فرد است. برای پوشش گسترده در این زمینه به داخل نگاه کنید: ابزارهای تجزیه و تحلیل شکست، خرابی EOS و ESD منابع و مدل های خرابی فناوری نیمه هادی، و نحوه استفاده از تجزیه و تحلیل شکست برای طراحی اجزا و سیستم های نیمه هادی قوی تر؛ مدل ها و فناوری های الکترو حرارتی. فن آوری های پیشرفته مورد بحث شامل CMOS، BiCMOS، سیلیکون روی عایق (SOI)، فناوری دوقطبی، CMOS ولتاژ بالا (HVCMOS)، RF CMOS، برق هوشمند، آرسنید گالیم (GaAs)، نیترید گالیم (GaN)، مقاومت مغناطیسی (MR)، مقاومت مغناطیسی غول پیکر (GMR)، مقاومت مغناطیسی تونل زنی (TMR)،  دستگاه ها؛ سیستم‌های میکرو الکترومکانیکی (MEM) و ماسک‌های عکس و رتیکول‌ها؛ روشهای عملی برای استفاده از تجزیه و تحلیل شکست برای درک عملکرد مدار ESD، تجزیه و تحلیل دما، توزیع توان، توسعه قاعده زمین، توزیع باس داخلی، تجزیه و تحلیل مسیر جریان، معیارهای کیفیت، (اتصال تحلیل نظری به عملی)؛ شکست هر عنصر کلیدی یک فناوری از غیرفعال، عناصر فعال به مدار، زیر سیستم به بسته، که با مطالعات موردی عناصر، مدارها و سیستم روی تراشه (SOC) در محصولات امروزی مشخص شده است. ESD: Failure Mechanisms and Models ادامه مجموعه کتاب های نویسنده در مورد حفاظت از ESD است. این یک مرجع ضروری و یک بینش مفید در مورد مسائلی است که با ورود به عصر نانو الکترونیک با فناوری مدرن روبرو هستیم.